高精度LDO
日本SEIKO
微功耗电压检测芯片
日本SEIKO
DC/DC转换稳压芯片
日本SEIKO
WLED驱动芯片
RTC 实时时钟
日本SEIKO
锂电池保护芯片
日本SEIKO
肖特基二极管
美国DIODES
E2PROM
日本SEIKO
功率电感
台湾ABC
电源模块
电源模块
精工晶振
表贴晶振
晶振
日本SEIKO
美国MPS
美国CATALYST
美国DIODES
1 Page
[First]
[Next]
[End]
all 1 page 1 product
Voltage Detector
精工的高精度电压检测芯片是基于CMOS工艺技术。检测精度在 ±1.0% 到 ±2.0%,检测电压在芯片内部已固化,应用方便;输出类型有 Nch open-drain 和 CMOS (push pull) 两种。
Model No.
Chinese
Data
Sheet
Features
Detection Voltage
Accuracy
Operating Voltage
Current Consumption
Output Form
Package
S-1000
New
350 nA
Ultra-low current consumption
1.5 to 4.6 V
±1%
0.95 to 5.5 V
350 nA (
Vdd
=1.5V)
Nch opendrain CMOS
SC-82AB
SOT-23-5
SNT-4A
S-808xxC
Super-Small
0.8 to 6.0 V
±2%
0.65 to 5.0 V
(Det, 1.4V or less)
0.95 to 10 V
(Det. 1.5V or more)
0.8 µA (
Vdd
=3.5V)
Nch opendrain CMOS
SNT-4A
SC-82AB
SOT-23-5
SOT-89-3
TO-92
S-801
With Delay Circuit
2.2 to 6.0 V
±2%
0.95 to 10 V
1.3 µA (
Vdd
=3.5V)
Nch opendrain CMOS
SOT-23-5
SNT-4A
S-809xxC
With Delay Circuit
1.3 to 6.0 V
±2%
0.7 to 10 V
1.1 µA (Vin=3.5V)
Nch opendrain CMOS
SNT-4A
SC-82AB
SOT-23-5
第1页
[首页]
[下一页]
[末页]
共 1 页 1 条信息